کیفیت و خلوص سیلیکون مورد استفاده برای تولید نیمه رساناها نقش بسیار مهمی را در کارایی وسیله داراست. میزان آلودگی های فلزی قابل قبول هم اکنون زیر 108 اتم درcm2 است. روش های معمولی تجزیه و تحلیل عناصر برای چنین سطوح پایینی کارآمد نیست. روش های تصویر برداری با استفاده از تابش سنکروترون، با استفاده از باریکه های بسیار درخشان این تابش به راحتی از این سطح تشخیص عبور می کند. این روش ها عموما برای مطالعه اجزاء در سطوح یا شناسایی نقص ها در ویفرهای سیلیکونی مورد استفاده قرار می گیرد.


بهره گیری از نیمه رساناها در دمای معمولی

امکان استفاده از ابررساناها در دمای اتاق، پیشرفتی در فناوری را میسر مي سازد که بیشتر به فیلم های علمی تخیلی شباهت دارد: خطوط انتقال برق بینهایت بلند که هیچ انرژی در آنها تلف نمی شود، قطارهایی که به صورت مغناطیسی شناورند و کامپیوترهای کوانتومی با سرعتی غیرقابل باور نمونه هایی از این موارد هستند.

مقاومت ابررساناها هنگامی که تا حد مشخصی سرد می شوند، صفر می شود. این دما بسیار پایین است و از چند درجه بالای صفر مطلق شروع شده و تا 135- درجه سانتی گراد ادامه می یابد. اما همین دما نیز برای استفاده کاربردی از ابررسانا در مقیاس بزرگ بسیار پایین است. به دلیل شناخت ضعیف از فیزیک ابررسانا پیشرفت تحقیقات در زمینه ابررسانای دما بالا به کندی پیش می رود.

هم اکنون تیمی بین المللی از دانشمندان در حال تحقیق بر روی محدودیت های این مواد هستند. بخشی از آزمایش ها با استفاده از تابش سنکروترون در چشمه نور کانادا انجام می گیرد. این تیم اولین شواهد آزمایشگاهی موسوم به " ناپایداری بار-چگالی-موج" را یافته است که با ابررسانایی رقابت می کند. با استفاده از این دانش، دانشمندان قادر خواهند بود مواد جدیدی را طراحی کنند که ابررساناها را از دمای پایین خارج کرده و امکان استفاده از آنها در مقیاس بزرگ را فراهم كند.